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FDMC86265P PDF预览

FDMC86265P

更新时间： 2024-09-09 11:10:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 223K
描述
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-2.6A，1.2Ω

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FDMC86265P 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.96
雪崩能效等级（Eas）：6 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.8 A最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：2 A
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC86265P 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – P-Channel,  
POWERTRENCH)  
Pin 1  
S
S
S
G
-150 V, -2.6 A, 1.2 W  
D
D
D
D
FDMC86265P  
Bottom  
Top  
General Description  
WDFN8 3.3x3.3, 0.65P  
CASE 511DH  
This P−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
POWERTRENCH process that has been optimized for the on−state  
resistance and yet maintain superior switching performance.  
MARKING DIAGRAM  
Features  
• Max r  
• Max r  
= 1.2 W at V = −10 V, I = −1 A  
GS D  
DS(on)  
DS(on)  
FDMC  
86265P  
&Z&K&2  
= 1.4 W at V = −6 V, I = −0.9 A  
GS  
D
• Very Low RDS−On Mid Voltage P−Channel Silicon Technology  
Optimized for Low Qg  
• This Product is Optimized for Fast Switching Applications as well as  
Load Switch Applications  
• 100% UIL Tested  
• These Devices are Pb−Free, Halide Free and are RoHS Compliant  
FDMC  
86265P  
&Z  
&K  
&2  
= Specific Device Code  
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Lot Run Traceability Code  
= Date Code (Year and Week)  
Applications  
• Active Clamp Switch  
• Load Switch  
PIN ASSIGNMENT  
S
S
1
2
8
7
D
D
S
3
4
6
5
D
D
G
P−Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
May, 2023 − Rev. 2  
FDMC86265P/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC86320 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 80V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
FDMC86320 ONSEMI

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FDMC86324 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench MOSFET 80 V, 20 A, 23 milliohm
FDMC86324 ONSEMI

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 		N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® MOSFET 60

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