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FDMC86320 PDF预览

FDMC86320

更新时间： 2024-02-17 20:23:17
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 247K
描述
N 沟道，Power Trench® MOSFET，80V，22A，11.7mΩ

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FDMC86320 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.99
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：10.7 A
最大漏源导通电阻：0.0117 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC86320 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
Pin 1  
S
S
S
G
80 V, 22 A, 11.7 mW  
D
D
D
D
FDMC86320  
Bottom  
Top  
General Description  
WDFN8 3.3x3.3, 0.65P  
CASE 511DH  
This N−Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of  
DC/DC converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge,  
MARKING DIAGRAM  
low r , fast switching speed and body diode reverse recovery  
DS(on)  
performance.  
FDMC  
86320  
&Z&K&2  
Features  
• Max r  
= 11.7 mW at V = 10 V, I = 10.7 A  
GS D  
DS(on)  
• Max r  
= 16 mW at V = 8 V, I = 8.5 A  
GS D  
DS(on)  
• MSL1 Robust Package Design  
• 100% UIL Tested  
FDMC  
86320  
&Z  
&K  
&2  
= Specific Device Code  
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Lot Run Traceability Code  
= Date Code (Year and Week)  
• These Devices are Pb−Free, Halide Free and are RoHS Compliant  
Applications  
• Primary DC−DC Switch  
• Motor Bridge Switch  
• Synchronous Rectifier  
PIN ASSIGNMENT  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
S
S
1
2
8
7
D
D
Symbol  
VDS  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Ratings Units  
80  
20  
V
V
A
VGS  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
S
3
4
6
5
D
D
ID  
−Continuous  
−Continuous  
−Pulsed  
TC = 25°C  
TA = 25°C (Note 1a)  
22  
10.7  
50  
G
N−Channel MOSFET  
EAS  
PD  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
Power Dissipation TC = 25°C  
60  
40  
mJ  
W
Power Dissipation TA = 25°C (Note 1a)  
2.3  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
TJ, TSTG Operating and Storage Junction Temperature  
Range  
−55 to  
+150  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(Note 1)  
3.1  
°C/W  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
53  
°C/W  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
May, 2023 − Rev. 2  
FDMC86320/D  
1234567

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