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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | MLP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.86 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 38 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-N5 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 31 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDMC8882 | FAIRCHILD |
功能相似  |
N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 16 A, 14 |
|
| FDMC8884 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 30V, 15A, 19mヘ |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMC8878_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 30V, 16.5A, 1 |
|
| FDMC8882 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，16A，14.3mΩ |
|
| FDMC8882 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 16 A, 14 |
|
| FDMC8884 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 30V, 15A, 19mヘ |
|
| FDMC8884_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 15 A, 1 |
|
| FDMC89521L | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 8.2 |
|
| FDMC89521L | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，8.2A，17mΩ |
|
| FDMC9430L-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，40V，12A，8.2mΩ |
|
| FDMD82100 | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道 Power Trench® MOSFET 100V，25A，19mΩ |
|
| FDMD82100L | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，24A，19.5mΩ |
|
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