型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMD8680 | ONSEMI |
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双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,66A,4.7mΩ | |
FDMD8900 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V | |
FDME1023PZT | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
FDME1023PZT | ONSEMI |
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双 P 沟道,Power Trench® MOSFET,-20V,-2.6A,142mΩ | |
FDME1024NZT | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 3.8 A, 66 m | |
FDME1024NZT | ONSEMI |
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双 N 沟道,Power Trench® MOSFET,20V,3.8A,66mΩ | |
FDME1034CZT | FAIRCHILD |
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Complementary PowerTrench® MOSFET N-channel: | |
FDME1034CZT | ONSEMI |
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互补,PowerTrench® MOSFET,±20V | |
FDME410NZT | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 20 V, 7 A, 26 | |
FDME410NZT | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,7A,26mΩ |