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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDME410NZT
FDME410NZT PDF预览

FDME410NZT

更新时间： 2024-09-15 12:23:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 256K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 20 V, 7 A, 26 mΩ

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FDME410NZT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：UMLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：8.53
Is Samacsys：N其他特性：ESD PROTECTION
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：115 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N3JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDME410NZT 数据手册

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November 2011  
FDME410NZT  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
20 V, 7 A, 26 mΩ  
Features  
General Description  
This Single N-Channel MOSFET has been designed using  
Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process to  
optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET  
leadframe.  
„ Max rDS(on) = 26 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 7 A  
„ Max rDS(on) = 31 mΩ at VGS = 2.5 V, ID = 6 A  
„ Max rDS(on) = 39 mΩ at VGS = 1.8 V, ID = 5 A  
„ Max rDS(on) = 53 mΩ at VGS = 1.5 V, ID = 4 A  
Applications  
„ Low profile: 0.55 mm maximum in the new package  
MicroFET 1.6x1.6 Thin  
„ Li-lon Battery Pack  
„ Baseband Switch  
„ Load Switch  
„ Free from halogenated compounds and antimony oxides  
„ HBM ESD protection level > 1800V (Note3)  
„ RoHS Compliant  
„ DC-DC Conversion  
G
D
D
Pin 1  
D
D
G
D
D
S
S
D
D
BOTTOM  
TOP  
MicroFET 1.6x1.6 Thin  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
20  
V
V
±8  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
7
15  
ID  
A
Power Dissipation for Single Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.1  
PD  
W
0.7  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
60  
°C/W  
175  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
7 ’’  
Tape Width  
8 mm  
Quantity  
6T  
FDME410NZT  
MicroFET 1.6x1.6 Thin  
5000 units  
1
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDME410NZT Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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