5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDME820NZT
FDME820NZT PDF预览

FDME820NZT

更新时间： 2024-09-16 11:11:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 298K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，9A，18mΩ

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDME820NZT 数据手册

 浏览型号FDME820NZT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDME820NZT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDME820NZT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDME820NZT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDME820NZT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDME820NZT的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
G
D
S
D
Pin 1  
20 V, 9 A, 18 mohm  
S
D
D
Top View  
Bottom View  
FDME820NZT  
MicroFET  
(UDFN6)  
CASE 517DV  
General Description  
This Single N−Channel MOSFET has been designed using  
onsemi’s advanced Power Trench process to optimize the R  
@
DS(ON)  
V
GS  
= 1.8 V on special MicroFETt leadframe.  
Features  
• Max R  
• Max R  
• Max R  
= 18 mW at V = 4.5 V, I = 9 A  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
D
D
D
D
S
= 24 mW at V = 2.5 V, I = 7.5 A  
GS  
D
= 32 mW at V = 1.8 V, I = 7 A  
GS  
D
D
G
• Low Profile – 0.55 mm maximum – in the New Package MicroFET  
1.6x1.6 Thin  
• HBM ESD Protection Level > 2.5 kV (Note 3)  
• Free from Halogenated Compounds and Antimony Oxides  
• RoHS Compliant  
Applications  
• Li−lon Battery Pack  
• Baseband Switch  
• Load Switch  
MARKING DIAGRAM  
• DC−DC Conversion  
&Z&2&K  
8T  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
Ratings  
20  
Unit  
V
V
DS  
GS  
&Z = Assembly Plant Code  
&2 = 2−Digit Date Code  
&K = 2−Digits Lot Run Traceability Code  
8T = Specific Device Code  
V
12  
V
I
D
A
− Continuous  
− Pulsed  
T = 25°C (Note 1a)  
9
40  
A
P
D
Power Dissipation for Single Operation  
W
T = 25°C (Note 1a)  
2.1  
0.7  
A
T = 25°C (Note 1b)  
ORDERING INFORMATION  
A
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
FDME820NZT  
UDFN6  
(Pb−Free)  
5000 /  
Tape & Reel  
THERMAL CHARACTERISTICS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
70  
°C/W  
q
JA  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1b)  
190  
q
JA  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
June, 2023 − Rev. 5  
FDME820NZT/D  
1234567

中文翻译

下载PDF

与FDME820NZT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDME905PT FAIRCHILD

获取价格

 		New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications
FDME905PT ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-12V，-8A，22mΩ
FDME910PZT FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel PowerTrench® MOSFET
FDME910PZT ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-8A，24mΩ
FDMF3030 FAIRCHILD

获取价格

 		Extra-Small, High-Performance, High-Frequency, DrMOS Module
FDMF3170 ONSEMI

获取价格

 		带集成电路和温度监控器的智能功率级 (SPS) 模块
FDMF3172 ONSEMI

获取价格

 		带集成电路和温度监控器的智能功率级 (SPS) 模块
FDMF3180 ONSEMI

获取价格

 		带集成电路和温度监控器的智能功率级 (SPS) 模块
FDMF5049 ONSEMI

获取价格

 		Smart Power Stage (SPS) Modules with Integrated Current and Temperature Monitors
FDMF5062 ONSEMI

获取价格

 		Smart Power Stage (SPS) Modules with Integrated Current and Temperature Monitors

与FDME820NZT相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证