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FDME1034CZT

更新时间： 2024-09-15 12:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 276K
描述
Complementary PowerTrench® MOSFET N-channel: 20 V, 3.8 A, 66 mΩ P-channel: -20 V, -2.6 A, 142 mΩ

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FDME1034CZT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：UMLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.72
其他特性：ESD PROTECTION外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.4 A最大漏极电流 (ID)：3.8 A
最大漏源导通电阻：0.066 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：40 pFJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDME1034CZT 数据手册

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July 2010  
FDME1034CZT  
Complementary PowerTrench® MOSFET  
N-channel: 20 V, 3.8 A, 66 mΩ P-channel: -20 V, -2.6 A, 142 mΩ  
Features  
General Description  
This device is designed specifically as a single package solution  
for a DC/DC ‘Switching’ MOSFET in cellular handset and other  
ultra-portable applications. It features an independent  
N-Channel & P-Channel MOSFET with low on-state resistance  
for minimum conduction losses. The gate charge of each  
MOSFET is also minimized to allow high frequency switching  
directly from the controlling device.  
Q1: N-Channel  
„ Max rDS(on) = 66 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 3.4 A  
„ Max rDS(on) = 86 mΩ at VGS = 2.5 V, ID = 2.9 A  
„ Max rDS(on) = 113 mΩ at VGS = 1.8 V, ID = 2.5 A  
„ Max rDS(on) = 160 mΩ at VGS = 1.5 V, ID = 2.1 A  
Q2: P-Channel  
„ Max rDS(on) = 142 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -2.3 A  
„ Max rDS(on) = 213 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -1.8 A  
„ Max rDS(on) = 331 mΩ at VGS = -1.8 V, ID = -1.5 A  
„ Max rDS(on) = 530 mΩ at VGS = -1.5 V, ID = -1.2 A  
The MicroFET 1.6x1.6 Thin package offers exceptional thermal  
performance for it's physical size and is well suited to switching  
and linear mode applications.  
„ Low profile: 0.55 mm maximum in the new package  
MicroFET 1.6x1.6 Thin  
Applications  
„ DC-DC Conversion  
„ Free from halogenated compounds and antimony  
oxides  
„ Level Shifted Load Switch  
„ HBM ESD protection level > 1600 V (Note 3)  
„ RoHS Compliant  
D2  
G1  
S1  
D2  
Pin 1  
D1  
S2  
G2  
D1  
TOP  
BOTTOM  
MicroFET 1.6x1.6 Thin  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Q1  
20  
±8  
3.8  
6
Q2  
-20  
±8  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
V
V
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
-2.6  
-6  
ID  
A
Power Dissipation for Single Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.4  
0.6  
PD  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Single Operation) (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Single Operation) (Note 1b)  
90  
°C/W  
195  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
5T  
FDME1034CZT  
MicroFET 1.6x1.6 Thin  
7 ’’  
8 mm  
5000 units  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDME1034CZT Rev.C1  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDME410NZT FAIRCHILD

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