5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDME1023PZT
FDME1023PZT PDF预览

FDME1023PZT

更新时间： 2024-09-15 20:46:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 216K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1.60 X 1.60 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, THIN, MICROFET-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDME1023PZT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：UMLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.72
其他特性：ESD PROTECTION外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A最大漏极电流 (ID)：2.6 A
最大漏源导通电阻：0.142 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：75 pFJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDME1023PZT 数据手册

 浏览型号FDME1023PZT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDME1023PZT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDME1023PZT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDME1023PZT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDME1023PZT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDME1023PZT的Datasheet PDF文件第7页 
July 2010  
FDME1023PZT  
Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET  
-20 V, -2.6 A, 142 mΩ  
Features  
General Description  
This device is designed specifically as a single package solution  
for the battery charges switch in cellular handset and other  
ultra-portable applications. It features two independent  
P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum  
conduction losses. When connected in the typical common  
source configuration, bi-directional current flow is possible.  
„ Max rDS(on) = 142 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -2.3 A  
„ Max rDS(on) = 213 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -1.8 A  
„ Max rDS(on) = 331 mΩ at VGS = -1.8 V, ID = -1.5 A  
„ Max rDS(on) = 530 mΩ at VGS = -1.5 V, ID = -1.2 A  
„ Low profile: 0.55 mm maximum in the new package  
MicroFET 1.6x1.6 Thin  
The MicroFET 1.6x1.6 Thin package offers exceptional thermal  
performance for it's physical size and is well suited to switching  
and linear mode applications.  
„ Free from halogenated compounds and antimony oxides  
„ HBM ESD protection level > 1600 V (Note 3)  
„ RoHS Compliant  
Applications  
„ Load Switch  
„ Battery Charging  
„ Battery Disconnect Switch  
D2  
G1  
S1  
D2  
S1  
1
6
D1  
Pin 1  
D1  
G1 2  
5
4
G2  
S2  
S2  
G2  
D2  
3
D1  
TOP  
BOTTOM  
MicroFET 1.6x1.6 Thin  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
-20  
V
V
±8  
-2.6  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
ID  
A
-6  
Power Dissipation for Single Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.4  
PD  
W
0.6  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Single Operation)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Single Operation)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
90  
°C/W  
195  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
7 ’’  
Tape Width  
8 mm  
Quantity  
2T  
FDME1023PZT  
MicroFET 1.6x1.6 Thin  
5000 units  
1
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDME1023PZT Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1234567

中文翻译

下载PDF

与FDME1023PZT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDME1024NZT FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 3.8 A, 66 m
FDME1024NZT ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，Power Trench® MOSFET，20V，3.8A，66mΩ
FDME1034CZT FAIRCHILD

获取价格

 		Complementary PowerTrench® MOSFET N-channel:
FDME1034CZT ONSEMI

获取价格

 		互补，PowerTrench® MOSFET，±20V
FDME410NZT FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 20 V, 7 A, 26
FDME410NZT ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，7A，26mΩ
FDME430NT FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 6 A, 40
FDME510PZT FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel PowerTrench® MOSFET -20 V, -6 A, 3
FDME510PZT ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-6A，37mΩ
FDME820NZT FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 20 V, 9 A, 18

与FDME1023PZT相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证