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FDMC8882 PDF预览

FDMC8882

更新时间： 2024-09-15 11:15:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 429K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，16A，14.3mΩ

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FDMC8882 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：23 weeks风险等级：0.94
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：34 A
最大漏极电流 (ID)：10.5 A最大漏源导通电阻：0.0143 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：18 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC8882 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
Pin 1  
8
S
S
S
G
7
6
30 V, 16 A, 14.3 mohm  
5
1
D
D
2
FDMC8882  
Description  
D
3
D
4
Top  
Bottom  
This N−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
POWETRENCH process that has been especially tailored to minimize  
the on−state resistance. This device is well suited for Power  
Management and load switching applications common in Notebook  
Computers and Portable Battery Packs.  
WDFN8 3.3x3.3, 0.65P  
CASE 511DR  
Features  
4
3
2
1
G
S
S
S
5
D
• Max R  
• Max R  
= 14.3 mW at V = 10 V, I = 10.5 A  
GS D  
DS(on)  
D
D
D
6
7
8
= 22.5 mW at V = 4.5 V, I = 8.3 A  
DS(on)  
GS  
D
• High Performance Technology for Extremely Low R  
• Termination is Lead−Free  
DS(on)  
• RoHS Compliant  
Applications  
• High Side in DC−DC Buck Converters  
• Notebook Battery Power Management  
• Load Switch in Notebook  
MARKING DIAGRAM  
ZXYKK  
FDMC  
8882  
Z
XY  
KK  
= Assembly Plant Code  
= Date Code (Year &Week)  
= Lot Traceability Code  
= Specific Device Code  
FDMC8882  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
FDMC8882  
WDFN8  
3000 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
April, 2023 − Rev. 4  
FDMC8882/D  
12345678

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与FDMC8882相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC8884 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 30V, 15A, 19mヘ
FDMC8884_12 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 15 A, 1
FDMC89521L FAIRCHILD

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FDMC89521L ONSEMI

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FDMC9430L-F085 ONSEMI

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FDMD8240LET40 ONSEMI

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 		60 V 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET

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