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FDMD82100

更新时间： 2024-09-15 11:14:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 384K
描述
双 N 沟道 Power Trench® MOSFET 100V，25A，19mΩ

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FDMD82100 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N12Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：1
外壳连接：DRAIN SOURCE配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.019 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：15 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-N12JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：12工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMD82100 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
r
MAX  
I
D
MAX  
DS  
DS(ON)  
100 V  
ꢁ
ꢂ
m
ꢀ
@
1
0
V
25 A  
33 mꢀ @ 6 V  
100 V, 25 A, 19 mW  
Pin 1  
FDMD82100  
General Description  
This device includes two 100 V N−Channel MOSFETs in a dual  
Power (3.3 mm X 5 mm) package. HS source and LS Drain internally  
connected for half/full bridge, low source inductance package,  
Top  
Bottom  
Power 3.3 x 5  
low r  
/Qg FOM silicon.  
DS(on)  
PQFN12 3.3X5, 0.65P  
CASE 483BN  
Features  
• Max r  
= 19 mꢀ at V = 10 V, I = 7 A  
= 33 mꢀ at V = 6 V, I = 5.5 A  
GS D  
DS(on)  
GS  
D
• Max r  
DS(on)  
• Ideal for Flexible Layout in Primary Side of Bridge Topology  
• 100% UIL Tested  
MARKING DIAGRAM  
• Kelvin High Side MOSFET Drive Pin−out Capability  
• This Device is Pb−Free, Halide Free and RoHS Compliant  
AYWWZZ  
82100  
Applications  
• Synchronous Buck : Primary Switch of Half/Full bridge converter  
for telecom  
• Motor Bridge: Primary Switch of Half/Full bridge converter  
for BLDC motor  
A
YWW  
ZZ  
= Assembly Plant Code  
= Date Code (Year & Week)  
= Lot Code  
82100  
= Specific Device Code  
• MV POL: 48 V Synchronous Buck Switch  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
PIN CONNECTIONS  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current Continuous  
Rating  
100  
20  
Unit  
V
V
DS  
V
GS  
D1  
D1  
D1  
G2  
S2  
S2  
G1  
V
G1R  
I
D
T
C
= 25°C  
25  
A
D2/S1  
Continuous T = 25°C  
7
A
(Note 1a)  
D2/S1  
Pulsed (Note 4)  
80  
D2/S1  
D2/S1  
E
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
121  
mJ  
W
AS  
P
Power Dissipation (Note 1a) T = 25°C  
2.1  
1
D
A
Power Dissipation (Note 1b) T = 25°C  
A
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to + 150  
°C  
J
STG  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 6 of this data sheet.  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
February, 2023 − Rev. 3  
FDMD82100/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMD82100L ONSEMI

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 		双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，24A，19.5mΩ
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