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FDMC89521L

更新时间： 2024-09-14 12:23:35

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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7页	310K
描述
Dual N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET 60 V, 8.2 A, 17 mÎ©

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FDMC89521L 数据手册

August 2012

FDMC89521L

Dual N-Channel PowerTrench^®MOSFET

60 V, 8.2 A, 17 mΩ

Features

General Description

This device includes two 60 V N-Channel MOSFETs in a dual

Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) package. The package is

enhanced for exceptional thermal performance.

Max r_DS(on)= 17 mΩ at V_GS= 10 V, I_D= 8.2 A

Max r_DS(on)= 27 mΩ at V_GS= 4.5 V, I_D= 6.7 A

Termination is Lead-free

Applications

RoHS Compliant

Battery Protection

Load Switching

Bridge Topologies

Pin 1

G1 S1

S2 S2

G2 S2

Power 33

MOSFET Maximum Ratings T_A= 25 °C unless otherwise noted

Symbol

V_DS

V_GS

Parameter

Ratings

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current -Continuous

-Pulsed

±20

)

T_A= 25 °C

(Note 1a)

8.2

I_D

E_AS

P_D

Single Pulse Avalanche Energy

Power Dissipation

(Note 3)

(Note 1a)

(Note 1b)

T_A= 25 °C

1.9

Power Dissipation

0.8

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

(Note 1a)

(Note 1b)

°C/W

155

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Package

Reel Size

Tape Width

12 mm

Quantity

FDMC89521L

Power 33

13 ’’

3000 units

FDMC89521L Rev. C

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7

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