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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMC86324
FDMC86324 PDF预览

FDMC86324

更新时间： 2024-02-21 05:33:09
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 305K
描述
N-Channel Power Trench MOSFET 80 V, 20 A, 23 milliohm

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FDMC86324 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.96
雪崩能效等级（Eas）：72 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：41 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium (Ni/Pd)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC86324 数据手册

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May 2010  
FDMC86324  
N-Channel Power Trench® MOSFET  
80 V, 20 A, 23 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 23 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7 A  
„ Max rDS(on) = 37 mΩ at VGS = 6 V, ID = 4 A  
„ Low Profile - 1 mm max in Power 33  
„ 100% UIL Tested  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance and  
yet maintain superior switching performance.  
„ RoHS Compliant  
Application  
„ DC - DC Conversion  
Bottom  
S
Top  
Pin 1  
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
S
S
G
D
D
D
D
Power 33  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
80  
V
V
±20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
C = 25 °C  
20  
T
30  
ID  
A
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
7
-Pulsed  
30  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
72  
41  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3
°C/W  
(Note 1a)  
53  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMC86324  
FDMC86324  
Power 33  
3000 units  
1
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC86324 Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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