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FDMC86324 PDF预览

FDMC86324

更新时间： 2024-09-09 11:12:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 417K
描述
N 沟道，Power Trench® MOSFET，80V，20A，23mΩ

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FDMC86324 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.96
雪崩能效等级（Eas）：72 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：41 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium (Ni/Pd)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC86324 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(ON)  
80 V  
23 mW @ 10 V  
37 mW @ 6 V  
20 A  
80 V, 20 A, 23 mW  
Pin 1  
FDMC86324  
General Description  
S
S
S
G
This N−Channel MOSFET is produced using onsemi‘s advanced  
POWERTRENCH process that has been especially tailored  
to minimize the on−state resistance and yet maintain superior  
switching performance.  
D
D
D
D
Top  
Bottom  
PQFN8 3.3 y 3.3, 0.65P  
CASE 483AK  
Features  
• Max R  
• Max R  
= 23 mW at V = 10 V, I = 7 A  
GS D  
DS(on)  
= 37 mW at V = 6 V, I = 4 A  
DS(on)  
GS  
D
D
4
3
2
1
5
G
• Low Profile − 1 mm Max in Power 33  
• 100% UIL Tested  
D
D
6
7
S
S
S
• Pb−Free, Halide Free and RoHS Compliant  
Applications  
• DC−DC Conversion  
D
8
N-CHANNEL MOSFET  
MARKING DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Value  
80  
Unit  
V
V
DS  
V
GS  
Gate−Source Voltage  
20  
V
I
D
Drain Current  
A
ZXYYKK  
FDMC  
86324  
– Continuous (Package Limited)  
– Continuous (Silicon Limited)  
– Continuous (Note 1a)  
– Pulsed  
T
T
A
= 25°C  
= 25°C  
20  
30  
7
C
C
T = 25°C  
30  
E
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
72  
mJ  
W
AS  
Z
= Assembly Plant Code  
P
Power Dissipation  
T
= 25°C  
C
41  
2.3  
D
XYY  
KK  
= 3−Digit Date Code Format  
= 2−Alphanumeric Lot Run Traceability  
Code  
Power Dissipation (Note 1a)  
T = 25°C  
A
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
–55 to  
+150  
°C  
J
STG  
FDMC86324 = Specific Device Code  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
†
A
Device  
Package  
Shipping  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
FDMC86324  
PQFN8  
(Pb−Free,  
Halide Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
R
Thermal Resistance,  
Junction to Case  
3
°C/W  
q
JC  
R
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient (Note 1a)  
53  
°C/W  
q
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
January, 2023 − Rev. 3  
FDMC86324/D  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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