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FDMC86320

更新时间： 2024-01-21 03:19:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 319K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 80V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 3.30 X 3.30 MM, 0.80 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MLP, 8 PIN

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FDMC86320 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.99
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：10.7 A
最大漏源导通电阻：0.0117 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC86320 数据手册

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November 2013  
FDMC86320  
N-Channel Power Trench® MOSFET  
80 V, 22 A, 11.7 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 11.7 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10.7 A  
„ Max rDS(on) = 16 mΩ at VGS = 8 V, ID = 8.5 A  
„ MSL1 robust package design  
„ 100% UIL Tested  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency and to minimize switch node  
ringing of DC/DC converters using either synchronous or  
conventional switching PWM controllers.It has been optimized  
for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body  
diode reverse recovery performance.  
„ RoHS Compliant  
Applications  
„ Primary DC-DC Switch  
„ Motor Bridge Switch  
„ Synchronous Rectifier  
Bottom  
Top  
S
S
D
D
Pin 1  
G
S
S
S
S
D
D
D
D
D
G
D
MLP 3.3x3.3  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
80  
V
V
±20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
C = 25 °C  
22  
T
45  
ID  
A
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
10.7  
-Pulsed  
50  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
60  
40  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3.1  
53  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMC86320  
FDMC86320  
Power 33  
3000 units  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC86320 Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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