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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMC8678S
FDMC8678S PDF预览

FDMC8678S

更新时间： 2024-09-14 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 283K
描述
N-Channel Power Trench㈢ SyncFET TM 30V, 18A, 5.2mヘ

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FDMC8678S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 33, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.45
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：181 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：66 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.0052 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240BA
JESD-30 代码：R-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：41 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC8678S 数据手册

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December 2007  
FDMC8678S  
tm  
N-Channel Power Trench® SyncFETTM  
30V, 18A, 5.2mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 5.2mΩ at VGS = 10V, ID = 15A  
„ Max rDS(on) = 8.7mΩ at VGS = 4.5V, ID = 12A  
The FDMC8678S has been designed to minimize losses in  
power conversion applications. Advancements in both silicon  
and package technologies have been combined to offer the  
lowest rDS(on) while maintaining excellent switching  
„ Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on)  
and high efficiency  
performance. This device has the added benefit of an efficient  
monolithic Schottky body diode.  
„ SyncFET Schottky Body Diode  
„ MSL1 robust package design  
„ RoHS Compliant  
Applications  
Synchronous Rectifier for DC/DC Converters  
„ Notebook Vcore/ GPU low side switch  
„ Networking Point of Load low side switch  
„ Telecom secondary side rectification  
Pin 1  
S
S
S
D
G
5
6
7
8
4
3
2
1
G
D
D
S
S
D
D
D
D
D
S
Bottom  
TOP  
Power 33  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
V
V
±20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25°C  
C = 25°C  
18  
T
66  
ID  
A
TA = 25°C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
15  
60  
-Pulsed  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
181  
mJ  
W
TC = 25°C  
TA = 25°C  
41  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3
°C/W  
(Note 1a)  
53  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
8678S  
FDMC8678S  
Power 33  
3000 units  
1
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC8678S Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
12345678

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