是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | MLP, 8 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 1 |
Samacsys Description: | MOSFET N-Channel 30V 9.6A Power 33 Fairchild FDMC8878 N-channel MOSFET Transistor, 9.6 A, 30 V, 8-Pin Power 33 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 38 A | 最大漏极电流 (ID): | 9.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.014 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N5 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 31 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMC8878_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 30V, 16.5A, 1 | |
FDMC8882 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,16A,14.3mΩ | |
FDMC8882 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 16 A, 14 | |
FDMC8884 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 30V, 15A, 19mヘ | |
FDMC8884_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 15 A, 1 | |
FDMC89521L | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 8.2 | |
FDMC89521L | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道,Power Trench® MOSFET,60V,8.2A,17mΩ | |
FDMC9430L-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,40V,12A,8.2mΩ | |
FDMD82100 | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道 Power Trench® MOSFET 100V,25A,19mΩ | |
FDMD82100L | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,24A,19.5mΩ |