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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMC86261P
FDMC86261P PDF预览

FDMC86261P

更新时间： 2024-02-20 18:41:48
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 230K
描述
P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -9 A, 160 m

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FDMC86261P 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.94
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：121 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
最大漏极电流 (ID)：2.7 A最大漏源导通电阻：0.16 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC86261P 数据手册

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November 2013  
FDMC86261P  
P-Channel PowerTrench® MOSFET  
-150 V, -9 A, 160 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 160 mΩ at VGS = -10 V, ID = -2.4 A  
„ Max rDS(on) = 185 mΩ at VGS = -6 V, ID = -2.2 A  
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor‘s advanced PowerTrench® technology. This  
very high density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance and optimized for superior switching  
performance.  
„ Very low RDS-on mid voltage P channel silicon technology  
optimised for low Qg  
„ This product is optimised for fast switching applications as  
well as load switch applications  
Applications  
„ Active Clamp Switch  
„ Load Switch  
„ 100% UIL Tested  
„ RoHS Compliant  
Bottom  
Top  
S
S
D
D
Pin 1  
G
S
S
S
S
D
D
D
D
D
G
D
MLP 3.3x3.3  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Continuous  
-150  
V
V
±25  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
-9  
-2.7  
ID  
(Note 1a)  
(Note 3)  
A
-Pulsed  
-20  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
121  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
40  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3.1  
53  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMC86261P  
FDMC86261P  
Power 33  
3000 units  
©2013 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC86261P Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1
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