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FDMC86259P PDF预览

FDMC86259P

更新时间： 2024-09-09 11:16:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 532K
描述
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-13A，107mΩ

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FDMC86259P 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.95
雪崩能效等级（Eas）：181 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.2 A最大漏极电流 (ID)：3.2 A
最大漏源导通电阻：0.107 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：62 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC86259P 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – P-Channel,  
POWERTRENCH)  
-150 V, -13 A, 107 mW  
V
r
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(on)  
−150 V  
107 mW @ −10 V  
137 mW @ −6 V  
−13 A  
FDMC86259P  
Pin 1  
Pin 1  
S
S
S
General Description  
G
This P−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
POWERTRENCH process that has been especially tailored to  
minimize the on−state resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
D
D
D
D
Bottom  
Top  
Features  
PQFN8 3.3x3.3, 0.65P  
CASE 483AW  
Power 33  
• Max r  
• Max r  
= 107 mW at V = −10 V, I = −3 A  
GS D  
DS(on)  
DS(on)  
= 137 mW at V = −6 V, I = −2,7 A  
GS  
D
• Very Low RDS−on Mid Voltage P Channel Silicon Technology  
Optimized for Low Qg  
MARKING DIAGRAM  
• This Product is Optimised for Fast Switching Applications as well as  
Load Witch Applications  
$Y&Z&3&K  
FDMC  
86259P  
• 100% UIL Tested  
• This Device is Pb−Free, Halide Free and RoHS Compliant  
Applications  
• Active Clamp Switch  
• Load Switch  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= Logo  
= Assembly Plant Code  
= Data Code (Year & Week)  
= Lot Code  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
FDMC86259P  
= Specific Device Code  
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current Continuous  
Rating  
−150  
25  
Unit  
V
V
DS  
V
GS  
PIN ASSIGNMENT  
V
I
D
T
C
= 25°C  
−13  
A
S
S
1
2
8
7
D
D
Continuous T = 25°C  
−3.2  
A
(Note 1a)  
Pulsed  
−20  
181  
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
mJ  
W
S
3
4
6
5
D
D
P
D
Power Dissipation  
T
C
= 25°C  
62  
G
Power Dissipation (Note 1a) T = 25°C  
2.3  
A
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to + 150  
°C  
J
STG  
P−Channel MOSFET  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
RqJC  
Parameter  
Rating  
2.0  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient (Note 1a)  
53  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
January, 2023 − Rev. 4  
FDMC86259P/D  
1234567

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与FDMC86259P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC86260 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 150V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDMC86260 ONSEMI

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，25A，34mΩ
FDMC86260ET150 ONSEMI

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 		150 V N 沟道 Power Trench® MOSFET
FDMC86261P FAIRCHILD

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 		P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -9 A, 160 m
FDMC86261P ONSEMI

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 		P 沟道，Power Trench® MOSFET，-150V，-9A，160mΩ
FDMC86262P ONSEMI

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，80V，22A，11.7mΩ
FDMC86324 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench MOSFET 80 V, 20 A, 23 milliohm

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