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FDMC86139P PDF预览

FDMC86139P

更新时间： 2024-11-18 20:06:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 233K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, POWER 33, MLP, 8 PIN

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FDMC86139P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：121 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：4.4 A
最大漏源导通电阻：0.067 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC86139P 数据手册

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January 2014  
FDMC86139P  
P-Channel PowerTrench® MOSFET  
-100 V, -15 A, 67 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 67 mΩ at VGS = -10 V, ID = -4.4 A  
„ Max rDS(on) = 89 mΩ at VGS = -6 V, ID = -3.6 A  
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor‘s advanced PowerTrench® technology. This  
very high density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance and optimized for superior switching  
performance.  
„ Very low RDS-on mid voltage P channel silicon technology  
optimised for low Qg  
„ This product is optimised for fast switching applications as  
well as load switch applications  
Applications  
„ Active Clamp Switch  
„ 100% UIL Tested  
„ RoHS Compliant  
„ Load Switch  
Top  
Bottom  
Pin 1  
D
D
D
D
S
S
S
G
S
S
S
G
D
D
D
D
MLP 3.3x3.3  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
-100  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Continuous  
V
V
±25  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
-15  
ID  
(Note 1a)  
(Note 3)  
-4.4  
A
-Pulsed  
-30  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
121  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
40  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3.1  
53  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMC86139P  
FDMC86139P  
Power 33  
3000 units  
©2013 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC86139P Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC86160 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 43 A, 14 m Ohm
FDMC86160 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，43A，14mΩ
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 		N-Channel Power Trench® MOSFET
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 		N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 9.4 A,

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