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FDMC86139P

更新时间： 2024-02-09 18:06:23

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	233K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, POWER 33, MLP, 8 PIN

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FDMC86139P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MLP
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.7
雪崩能效等级（Eas）：	121 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A	最大漏极电流 (ID)：	4.4 A
最大漏源导通电阻：	0.067 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N5	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDMC86139P 数据手册

January 2014

FDMC86139P

P-Channel PowerTrench^®MOSFET

-100 V, -15 A, 67 mΩ

Features

General Description

Max r_DS(on)= 67 mΩ at V_GS= -10 V, I_D= -4.4 A

Max r_DS(on)= 89 mΩ at V_GS= -6 V, I_D= -3.6 A

This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild

Semiconductor‘s advanced PowerTrench^®technology. This

very high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance and optimized for superior switching

performance.

Very low RDS-on mid voltage P channel silicon technology

optimised for low Qg

This product is optimised for fast switching applications as

well as load switch applications

Applications

Active Clamp Switch

100% UIL Tested

RoHS Compliant

Load Switch

Top

Bottom

Pin 1

MLP 3.3x3.3

MOSFET Maximum Ratings T_A= 25 °C unless otherwise noted

Symbol

V_DS

V_GS

Parameter

Ratings

-100

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current -Continuous

-Continuous

±25

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

-15

I_D

(Note 1a)

(Note 3)

-4.4

-Pulsed

-30

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy

Power Dissipation

121

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

P_D

Power Dissipation

(Note 1a)

2.3

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to + 150

°C

Thermal Characteristics

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

3.1

°C/W

(Note 1a)

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Package

Reel Size

13 ’’

Tape Width

12 mm

Quantity

FDMC86139P

Power 33

3000 units

FDMC86139P Rev.C1

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7

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与FDMC86139P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDMC86160	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 43 A, 14 m Ohm
FDMC86160	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，43A，14mΩ
FDMC86160ET100	ONSEMI	获取价格	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，43A，14mΩ
FDMC86183	ONSEMI	获取价格	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100V，47 A，12.8
FDMC86184	ONSEMI	获取价格	N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，53 A，8.5 m
FDMC8622	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power TrenchÂ® MOSFET 100 V, 16 A,
FDMC8622	ONSEMI	获取价格	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，16A，56mΩ
FDMC86240	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power TrenchÂ® MOSFET
FDMC86240	ONSEMI	获取价格	N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，16A，51mΩ
FDMC86244	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power TrenchÂ® MOSFET 150 V, 9.4 A,

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