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FDMC86260 PDF预览

FDMC86260

更新时间： 2023-09-03 20:38:49
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 542K
描述
N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，25A，34mΩ

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FDMC86260 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.97
雪崩能效等级（Eas）：121 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：5.4 A
最大漏源导通电阻：0.034 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：54 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC86260 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
Shielded Gate,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(ON)  
150 V  
34 mW @ 10 V  
44 mW @ 6 V  
25 A  
150 V, 25 A, 34 mW  
Pin 1  
Pin 1  
S
S
S
G
FDMC86260  
General Description  
This N−Channel MOSFET is produced using onsemi‘s advanced  
POWERTRENCH process that incorporates Shielded Gate  
technology. This process has been optimized for the on−state  
resistance and yet maintain superior switching performance.  
D
D
D
D
Top  
Bottom  
WDFN8 3.3 y 3.3, 0.65P  
CASE 483AW  
Features  
D
S
8
1
2
3
• Shielded Gate MOSFET Technology  
• Max R  
• Max R  
• High Performance Technology for Extremely Low R  
• 100% UIL Tested  
• Pb−Free, Halide Free and RoHS Compliant  
= 34 mW at V = 10 V, I = 5.4 A  
S
S
7
6
D
D
DS(on)  
GS  
D
= 44 mW at V = 6 V, I = 4.8 A  
DS(on)  
GS  
D
DS(on)  
G
4
5
D
N-CHANNEL MOSFET  
MARKING DIAGRAM  
Applications  
• DC−DC Conversion  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
ZXYYKK  
FDMC  
86260  
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Value  
Unit  
V
V
DS  
150  
20  
V
Gate to Source Voltage  
Drain Current:  
V
GS  
I
A
D
Continuous, T = 25°C (Note 5)  
25  
16  
5.4  
135  
C
Z
XYY  
KK  
= Assembly Plant Code  
Continuous, T = 100°C (Note 5)  
C
= 3−Digit Date Code Format  
= 2−Alphanumeric Lot Run Traceability  
Code  
Continuous, T = 25°C (Note 1a)  
A
Pulsed (Note 4)  
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
121  
mJ  
W
FDMC86260 = Specific Device Code  
P
D
Power Dissipation:  
T
= 25°C  
54  
2.3  
C
T = 25°C (Note 1a)  
ORDERING INFORMATION  
A
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to  
+150  
°C  
J
STG  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
FDMC86260  
WDFN8  
(Pb−Free,  
Halide Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
R
Thermal Resistance,  
Junction to Case (Note 1)  
2.3  
°C/W  
q
JC  
R
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient (Note 1a)  
53  
°C/W  
q
JA  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
February, 2023 − Rev. 2  
FDMC86260/D  
12345678

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与FDMC86260相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC86260ET150 ONSEMI

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 		150 V N 沟道 Power Trench® MOSFET
FDMC86261P FAIRCHILD

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 		P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -9 A, 160 m
FDMC86261P ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，Power Trench® MOSFET，-150V，-9A，160mΩ
FDMC86262P ONSEMI

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 		P 沟道 PowerTrench® MOSFET -150 V，-2 A，307 mΩ
FDMC86265P ONSEMI

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 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-2.6A，1.2Ω
FDMC86320 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 80V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
FDMC86320 ONSEMI

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，80V，22A，11.7mΩ
FDMC86324 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench MOSFET 80 V, 20 A, 23 milliohm
FDMC86324 ONSEMI

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，80V，20A，23mΩ
FDMC86340 FAIRCHILD

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 		N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 8

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