5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDMC86160
FDMC86160 PDF预览

FDMC86160

更新时间： 2024-01-11 05:19:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 614K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，43A，14mΩ

阅读下载

获取价格

FDMC86160 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.86
雪崩能效等级（Eas）：181 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：43 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：54 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC86160 数据手册

 浏览型号FDMC86160的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDMC86160的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDMC86160的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDMC86160的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDMC86160的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDMC86160的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
Shielded Gate,  
POWERTRENCH)  
V
r
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(on)  
100 V  
14 mW @ 10 V  
23 mW @ 6 V  
43 A  
100 V, 43 A, 14 mW  
Pin 1  
Pin 1  
S
S
S
G
FDMC86160  
D
D
D
D
General Description  
This N−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
PowerTrench process that incorporates Shielded Gate technology. This  
process has been optimized for the on−state resistance. This device is  
Top  
Bottom  
WDFN8 3.3X3.3, 0.65P  
CASE 483AW  
well suited for applications where ulta low R  
is required in small  
DS(on)  
spaces such as High performance VRM, POL and orring functions.  
MARKING DIAGRAM  
Applications  
• Bridge Topologies  
• Synchronous Rectifier  
XXXX  
AYWW  
Features  
XXXX = Specific Device Code  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
• Shielded Gate MOSFET Technology  
• Max r  
• Max r  
= 14 mW at V = 10 V, I = 9 A  
GS D  
DS(on)  
WW = Work Week  
= 23 mW at V = 6 V, I = 7 A  
DS(on)  
GS  
D
• High Performance Technology for Extremely Low r  
• This Device is Lead−Free and RoHS Compliant  
DS(on)  
PIN ASSIGNMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25°C unless otherwise noted  
A
S
8
D
1
2
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Value  
100  
20  
Unit  
V
S
S
7
6
5
D
D
D
V
DSS  
GSS  
Gate−Source Voltage  
V
V
3
4
Drain Current  
− Continuous  
− Continuous  
− Pulsed  
I
D
(T = 25°C)  
A
43  
9
50  
A
C
G
(T = 25°C) (Note 1a)  
(Note 4)  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
(Note 3)  
181  
mJ  
W
E
AS  
P
D
ORDERING INFORMATION  
(T = 25°C)  
54  
2.3  
C
(T = 25°C) (Note 1a)  
A
†
Device  
Package  
Shipping  
Operating and Storage Junction  
STG  
_C  
−55 to +150  
T , T  
J
Temperature Range  
FDMC86160  
WDFN8  
3000 /  
3.3X3.3, 0.65P  
CASE 483AW  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifica-  
tions Brochure, BRD8011/D.  
THERMAL CHARACTERISTICS T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
°C/W  
2.3  
R
θ
JC  
(Note 1)  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
°C/W  
53  
R
θ
JA  
(Note 1a)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2023  
1
Publication Order Number:  
January, 2023 − Rev. 3  
FDMC86160/D  
1234567

下载PDF

与FDMC86160相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FDMC86160ET100 ONSEMI N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，43A，14mΩ

获取价格
FDMC86183 ONSEMI N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100V，47 A，12.8

获取价格
FDMC86184 ONSEMI N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，53 A，8.5 m

获取价格
FDMC8622 FAIRCHILD N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 16 A,

获取价格
FDMC8622 ONSEMI N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，16A，56mΩ

获取价格
FDMC86240 FAIRCHILD N-Channel Power Trench® MOSFET

获取价格

与FDMC86160相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证