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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 26 weeks | 风险等级： | 0.95 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 167083 | Samacsys Pin Count： | 9 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | FDMC8622-3 | Samacsys Released Date： | 2020-01-19 11:52:38 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 37 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.056 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-240BA | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 31 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMC86240 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET |
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| FDMC86240 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，16A，51mΩ |
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| FDMC86244 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 9.4 A, |
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| FDMC86244 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，9.4A，134mΩ |
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| FDMC86248 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 13 A, |
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| FDMC86248 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 Power Trench® MOSFET 150V，13A，90mΩ |
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| FDMC86259P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-13A，107mΩ |
|
| FDMC86260 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 150V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FDMC86260 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，25A，34mΩ |
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| FDMC86260ET150 | ONSEMI |
获取价格 |
150 V N 沟道 Power Trench® MOSFET |
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