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FDMC86160

更新时间： 2024-02-15 09:36:28
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 279K
描述
N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 43 A, 14 m Ohm

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FDMC86160 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.86
雪崩能效等级（Eas）：181 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：43 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：54 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC86160 数据手册

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January 2013  
FDMC86160  
N-Channel Power Trench® MOSFET  
100 V, 43 A, 14 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 14 mΩ at VGS = 10 V, ID = 9 A  
„ Max rDS(on) = 23 mΩ at VGS = 6 V, ID = 7 A  
„ High performance technology for extremely low rDS(on)  
„ Termination is Lead-free and RoHS Compliant  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance. This  
device is well suited for applications where ulta low RDS （on）is  
required in small spaces such as High performance VRM, POL  
and orring functions.  
Applications  
„ Bridge Topologies  
„ Synchronous Rectifier  
Pin 1  
Pin 1  
S
S
S
S
D
D
S
G
S
D
D
D
D
D
D
G
Top  
Bottom  
Power 33  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
100  
V
V
±20  
Drain Current  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
43  
ID  
-Continuous  
-Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 3)  
(Note 1a)  
9
50  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
181  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
54  
PD  
Power Dissipation  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1)  
2.3  
53  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMC86160  
FDMC86160  
Power33  
3000 units  
1
©2013 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC86160 Rev. C1  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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与FDMC86160相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC86160ET100 ONSEMI

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 		N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，43A，14mΩ
FDMC86183 ONSEMI

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