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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.86 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 181 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 43 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-240BA | JESD-30 代码： | S-PDSO-N5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 54 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMC86160ET100 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，43A，14mΩ |
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| FDMC86183 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100V，47 A，12.8 |
|
| FDMC86184 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，53 A，8.5 m |
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| FDMC8622 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 16 A, |
|
| FDMC8622 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，16A，56mΩ |
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| FDMC86240 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET |
|
| FDMC86240 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，16A，51mΩ |
|
| FDMC86244 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 9.4 A, |
|
| FDMC86244 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，9.4A，134mΩ |
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| FDMC86248 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 13 A, |
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