是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | QFN |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 3.86 |
雪崩能效等级(Eas): | 181 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 43 A | 最大漏极电流 (ID): | 9 A |
最大漏源导通电阻: | 0.014 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MO-240BA | JESD-30 代码: | S-PDSO-N5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 54 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 50 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMC86160ET100 | ONSEMI |
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N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,43A,14mΩ |
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FDMC86183 | ONSEMI |
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N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100V,47 A,12.8 |
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FDMC86184 | ONSEMI |
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N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V,53 A,8.5 m |
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FDMC8622 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 16 A, |
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FDMC8622 | ONSEMI |
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N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,16A,56mΩ |
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FDMC86240 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power Trench® MOSFET |
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FDMC86240 | ONSEMI |
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N 沟道,Power Trench® MOSFET,150V,16A,51mΩ |
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FDMC86244 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 9.4 A, |
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FDMC86244 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,Power Trench® MOSFET,150V,9.4A,134mΩ |
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FDMC86248 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 13 A, |
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