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FDMC86260 PDF预览

FDMC86260

更新时间： 2024-01-31 15:58:46
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 231K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 150V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA, ROHS COMPLIANT, POWER 33, 8 PIN

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FDMC86260 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.97
雪崩能效等级（Eas）：121 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：5.4 A
最大漏源导通电阻：0.034 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：54 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC86260 数据手册

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December 2012  
FDMC86260  
N-Channel Power Trench® MOSFET  
150 V, 16 A, 34 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 34 mΩ at VGS = 10 V, ID = 5.4 A  
„ Max rDS(on) = 44 mΩ at VGS = 6 V, ID = 4.8 A  
„ High performance technology for extremely low rDS(on)  
„ 100% UIL Tested  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance and  
yet maintain superior switching performance.  
Application  
„ Termination is Lead-free  
„ DC-DC Conversion  
„ RoHS Compliant  
Pin 1  
Pin 1  
S
S
S
S
D
D
S
G
S
D
D
D
D
D
D
G
Top  
Bottom  
Power 33  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
150  
±20  
V
V
Drain Current  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
16  
ID  
-Continuous  
-Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 3)  
(Note 1a)  
5.4  
A
48  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
121  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
54  
PD  
Power Dissipation  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1)  
2.3  
53  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMC86260  
FDMC86260  
Power33  
3000 units  
1
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC86260 Rev. C1  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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与FDMC86260相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC86260ET150 ONSEMI

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 		150 V N 沟道 Power Trench® MOSFET
FDMC86261P FAIRCHILD

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 		P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -9 A, 160 m
FDMC86261P ONSEMI

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 		P 沟道，Power Trench® MOSFET，-150V，-9A，160mΩ
FDMC86262P ONSEMI

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 		P 沟道 PowerTrench® MOSFET -150 V，-2 A，307 mΩ
FDMC86265P ONSEMI

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 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-2.6A，1.2Ω
FDMC86320 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 80V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，80V，22A，11.7mΩ
FDMC86324 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench MOSFET 80 V, 20 A, 23 milliohm
FDMC86324 ONSEMI

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，80V，20A，23mΩ
FDMC86340 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 8

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