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FDMC86116LZ

更新时间： 2024-01-17 03:44:42
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 576K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，7.5A，103mΩ

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FDMC86116LZ 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：1.01
雪崩能效等级（Eas）：12 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A最大漏极电流 (ID)：3.3 A
最大漏源导通电阻：0.103 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：19 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

FDMC86116LZ 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
Shielded Gate,  
8
S
S
S
G
7
6
5
POWERTRENCH)  
1
D
D
2
D
3
D
4
100 V, 7.5 A, 103 mW  
Top  
Bottom  
WDFN8 3.3x3.3, 0.65P  
CASE 511DR  
FDMC86116LZ,  
FDMC86116LZ-L701  
FDMC3612  
S
S
S
G
General Description  
D
D
D
D
This N−Channel logic Level MOSFETs are produced using  
onsemi‘s advanced POWERTRENCH process that incorporates  
Shielded Gate technology. This process has been optimized for the  
on−state resistance and yet maintain superior switching performance.  
G−S zener has been added to enhance ESD voltage level.  
Bottom  
Top  
WDFN8 3.3x3.3, 0.65P  
CASE 511DQ  
FDMC3612−L701  
Features  
• Max R  
• Max R  
= 103 mW at V = 10 V, I = 3.3 A  
GS D  
DS(on)  
PIN ASSIGNMENT  
= 153 mW at V = 4.5 V, I = 2.7 A  
DS(on)  
GS  
D
• HBM ESD Protection Level > 3 kV Typical (Note 1)  
• 100% UIL Tested  
S
1
8
D
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
S
S
2
3
4
7
6
5
D
D
D
Applications  
• DC−DC Conversion  
G
MARKING DIAGRAM  
FDMC  
86116Z  
ALYW  
AXYKK  
FDMC  
86116Z  
FDMC86116LZ  
FDMC86116LZ−L701  
FDMC86116Z = Specific Device Code  
A
= Assembly Site  
XY  
KK  
L
= 2−Digit Date Code  
= 2−Digit Lot Run Traceability Code  
= Wafer Lot Number  
YW  
= Assembly Start Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6 of  
this data sheet.  
1. The diode connected between gate and source serves only as protection  
against ESD. No gate overvoltage rating is implied.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
March, 2023 − Rev. 4  
FDMC86116LZ/D  
 
1234567...10

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FDMC86139P ONSEMI P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-100V，-15A，67mΩ

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FDMC86139P FAIRCHILD Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M

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