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FDMC86102 PDF预览

FDMC86102

更新时间： 2024-11-22 11:15:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 433K
描述
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，20 A，24 mΩ

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FDMC86102 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：40 weeks风险等级：2.09
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：72 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：29 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240BA
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：41 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium (Ni/Pd)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC86102 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
Shielded Gate,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I
D
MAX  
DS  
DS(ON)  
100 V  
24 mW @ 10 V  
38 mW @ 6 V  
20 A  
Pin 1  
100 V, 20 A, 24 mW  
S
S
S
G
FDMC86102  
General Description  
This N−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
POWERTRENCH process that incorporates Shielded Gate  
technology. This process has been optimized for the on−state  
resistance and yet maintain superior switching performance.  
D
D
D
D
Bottom  
Top  
PQFN8 3.3 x 3.3, 0.65P  
CASE 483AK  
Features  
PIN ASSIGNMENT  
• Shielded Gate MOSFET Technology  
• Max R  
• Max R  
= 24 mW at V = 10 V, I = 7A  
GS D  
DS(on)  
S
S
1
2
8
7
D
D
= 38 mW at V = 6 V, I = 5 A  
DS(on)  
GS  
D
• Low Profile − 1 mm max in Power 33  
• 100% UIL Tested  
S
3
4
6
5
D
D
• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant  
G
Applications  
• DC−DC Conversion  
N−CHANNEL MOSFET  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise specified)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
Ratings  
100  
Unit  
V
MARKING DIAGRAM  
V
DS  
V
GS  
20  
V
ZXYYKK  
FDMC  
86102  
I
D
A
− Continuous  
T
= 25°C  
20  
7
C
− Continuous T = 25°C (Note 1a)  
A
− Pulsed  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
Power Dissipation = 25°C  
(Note 4)  
60  
72  
41  
2.3  
Z
X
YY  
KK  
= Assembly Site Code  
= Year Code  
= Weekly Code  
= Lot Code  
= Specific Device Code  
E
mJ  
W
AS  
P
T
C
D
Power Dissipation T = 25°C (Note 1a)  
A
FDMC86102  
T ,  
STG  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to  
+150  
°C  
J
T
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
†
Device  
Package  
Shipping  
PQFN8  
(Pb-Free,  
Halide Free)  
FDMC86102  
3000 /  
Tape & Reel  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Value  
3
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
°C/W  
R
q
JC  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
53  
q
JA  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
March, 2023 − Rev. 3  
FDMC86102/D  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC86102_12 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 20 A,
FDMC86102L FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDMC86102L ONSEMI

获取价格

 		100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET
FDMC86102LZ FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench® MOSFET
FDMC86102LZ ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，22A，24mΩ
FDMC86106LZ FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 7.5 A,
FDMC86106LZ_13 FAIRCHILD

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 		N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 10
FDMC86116LZ FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 7.5 A, 1
FDMC86116LZ ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，7.5A，103mΩ
FDMC86139P ONSEMI

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 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-100V，-15A，67mΩ

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