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FDMC86102LZ

更新时间： 2023-09-03 20:38:33
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 243K
描述
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，22A，24mΩ

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FDMC86102LZ 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.95
Samacsys Confidence：2Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1049677Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：WDFN8 3.3x3.3, 0.65P CASE 511DH ISSUE OSamacsys Released Date：2018-03-15 17:29:09
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：84 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：41 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC86102LZ 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET - N-Channel,  
Shielded Gate,  
POWERTRENCH)  
Pin 1  
G
S
S
S
D
D
D
100 V, 24 mꢀ , 22 A  
D
Top  
Bottom  
WDFN8 MPL  
CASE 511DH  
FDMC86102LZ  
Description  
This N−Channel logic Level MOSFETs are produced using  
onsemi’s advanced POWERTRENCH process that incorporates  
Shielded Gate technology. This process has been optimized for the  
on−state resistance and yet maintain superior switching performance.  
G−S zener has been added to enhance ESD voltage level.  
N−Channel  
S
S
1
2
8
7
D
D
Features  
S
3
4
6
5
D
D
• Shielded Gate MOSFET Technology  
• Max R  
• Max R  
• HBM ESD Protection Level > 6 kV Typical (Note 4)  
• 100% UIL Tested  
• RoHS Compliant  
= 24 mW at V = 10 V, I = 6.5 A  
GS D  
DS(on)  
G
= 35 mW at V = 4.5 V, I = 5.5 A  
DS(on)  
GS  
D
MARKING DIAGRAM  
Applications  
• DC−DC Switching  
FDMC  
86102Z  
AKKXY  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise specified)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Ratings  
100  
Unit  
V
FDMC86102Z  
A
KK  
XY  
= Specific Device Code  
= Assembly Plant Code  
= Lot Run Traceability Code  
= Numeric Date Code  
V
DS  
V
GS  
20  
V
I
D
Drain Current  
A
− Continuous  
T
= 25°C  
22  
7
C
− Continuous  
T = 25°C  
A
ORDERING INFORMATION  
(Note 1a)  
†
Device  
Package  
Shipping  
− Pulsed  
30  
84  
41  
2.3  
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
mJ  
W
FDMC86102LZ  
WDFN8  
(Pb-Free,  
Halide Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
P
D
Power Dissipation  
T = 25°C  
C
Power Dissipation  
(Note 1a)  
T = 25°C  
A
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
January, 2023 − Rev. 3  
FDMC86102LZ/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC86106LZ FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 7.5 A,
FDMC86106LZ_13 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 7.5 A, 1
FDMC86116LZ ONSEMI

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