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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMC86102L
FDMC86102L PDF预览

FDMC86102L

更新时间： 2024-11-18 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 357K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, POWER 33, MLP, 8 PIN

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FDMC86102L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：63 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：41 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC86102L 数据手册

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July 2009  
FDMC86102  
N-Channel Power Trench® MOSFET  
100 V, 20 A, 24 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 24 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7 A  
„ Max rDS(on) = 38 mΩ at VGS = 6 V, ID = 5 A  
„ Low Profile - 1 mm max in Power 33  
„ 100% UIL Tested  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance and  
yet maintain superior switching performance.  
„ RoHS Compliant  
Application  
„ DC - DC Conversion  
Bottom  
S
Top  
Pin 1  
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
S
S
G
D
D
D
D
Power 33  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
100  
V
V
±20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
C = 25 °C  
20  
T
29  
ID  
A
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
7
-Pulsed  
30  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
72  
41  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3
°C/W  
(Note 1a)  
53  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMC86102  
FDMC86102  
Power 33  
3000 units  
1
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC86102 Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
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FDMC86102L 替代型号

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