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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.33 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 72 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 29 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-240BA |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N5 | JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 41 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSZ160N10NS3 G | INFINEON |
功能相似  |
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMC86102_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 20 A, |
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| FDMC86102L | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDMC86102L | ONSEMI |
获取价格 |
100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET |
|
| FDMC86102LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET |
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| FDMC86102LZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，22A，24mΩ |
|
| FDMC86106LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 7.5 A, |
|
| FDMC86106LZ_13 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 10 |
|
| FDMC86116LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 7.5 A, 1 |
|
| FDMC86116LZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，7.5A，103mΩ |
|
| FDMC86139P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-100V，-15A，67mΩ |
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