是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | QFN |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.33 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 72 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 29 A |
最大漏极电流 (ID): | 7 A | 最大漏源导通电阻: | 0.024 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MO-240BA |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N5 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 41 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Powers |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSZ160N10NS3 G | INFINEON |
功能相似 ![]() |
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMC86102_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 20 A, |
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FDMC86102L | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FDMC86102L | ONSEMI |
获取价格 |
100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET |
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FDMC86102LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET |
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FDMC86102LZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,22A,24mΩ |
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FDMC86106LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 7.5 A, |
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FDMC86106LZ_13 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 10 |
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FDMC86116LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 7.5 A, 1 |
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FDMC86116LZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,7.5A,103mΩ |
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FDMC86139P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-100V,-15A,67mΩ |
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