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FDMC86012 PDF预览

FDMC86012

更新时间： 2024-11-19 11:13:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 541K
描述
N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，88A，2.7mΩ

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FDMC86012 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：20 weeks风险等级：0.96
雪崩能效等级（Eas）：337 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：88 A最大漏极电流 (ID)：23 A
最大漏源导通电阻：0.0027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N5
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：54 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：230 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC86012 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(ON)  
30 V  
2.7 mW @ 4.5 V  
4.7 mW @ 2.5 V  
88 A  
30 V, 88 A, 2.7 mW  
FDMC86012  
General Description  
This device has been designed specifically to improve the efficiency  
of DC/DC converters. Using new techniques in MOSFET  
construction, the various components of gate charge and capacitance  
have been optimized to reduce switching losses. Low gate resistance  
and very low Miller charge enable excellent performance with both  
D
S
8
1
2
3
S
S
7
6
D
D
G
4
5
D
adaptive and fixed dead time gate drive circuits. Very low r  
been maintained to provide a sub logic−level device.  
has  
DS(on)  
N-CHANNEL MOSFET  
Pin 1  
Features  
S
S
Pin 1  
S
• Max R  
• Max R  
= 2.7 mW at V = 4.5 V, I = 23 A  
GS D  
G
DS(on)  
= 4.7 mW at V = 2.5 V, I = 17.5 A  
DS(on)  
GS  
D
D
D
D
• High Performance Technology for Extremely low R  
• Termination is Lead−free  
D
DS(on)  
Top  
Bottom  
WDFN8 3.3 y 3.3, 0.65P  
• 100% UIL Tested  
• Pb−Free, Halide Free and RoHS Compliant  
CASE 483AW  
Applications  
MARKING DIAGRAM  
• 3.3 V Input Synchronous Buck Switch  
• Synchronous Rectifier  
ZXYYKK  
FDMC  
86012  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current:  
Value  
30  
Unit  
V
DS  
V
GS  
V
V
A
12  
Z
= Assembly Plant Code  
XYY  
KK  
= 3−Digit Date Code Format  
= 2−Alphanumeric Lot Run Traceability  
Code  
I
D
Continuous, T = 25°C  
88  
23  
230  
C
Continuous, T = 25°C (Note 1a)  
A
FDMC86012 = Specific Device Code  
Pulsed (Note 4)  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
(Note 3)  
337  
mJ  
W
AS  
ORDERING INFORMATION  
P
Power Dissipation:  
D
T
A
= 25°C  
54  
2.3  
C
†
Device  
Package  
Shipping  
T = 25°C (Note 1a)  
FDMC86012  
WDFN8  
(Pb−Free,  
Halide Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
April, 2023 − Rev. 3  
FDMC86012/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC86102 FAIRCHILD

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