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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRFZ44VZS
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AUIRFZ44VZS

更新时间： 2024-11-25 12:54:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 280K
描述
AUTOMOTIVE GRADE

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AUIRFZ44VZS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLAINT, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：5.08其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：110 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：57 A最大漏极电流 (ID)：57 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：92 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：230 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRFZ44VZS 数据手册

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PD - 96354  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRFZ44VZS  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
l
l
l
l
l
l
l
AdvancedProcessTechnology  
D
V(BR)DSS  
RDS(on) typ.  
max.  
60V  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
FastSwitching  
9.6m  
Ω
G
12m  
Ω
RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
AutomotiveQualified*  
S
ID  
57A  
Description  
D
Specifically designed for Automotive applications, this  
HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
siliconarea. Additionalfeaturesofthisdesign area175°C  
junction operating temperature, fast switching speed and  
improvedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescom-  
binetomakethisdesignanextremelyefficientandreliable  
deviceforuseinAutomotiveapplicationsandawidevariety  
ofotherapplications.  
S
D
G
D2Pak  
AUIRFZ44VZS  
G
Gate  
D
S
Drain  
Source  
AbsoluteMaximumRatings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice. Theseare  
stress ratings only; andfunctionaloperationofthedeviceattheseoranyotherconditionbeyondthoseindicatedinthe  
specificationsisnotimplied.Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device  
reliability. Thethermalresistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.  
Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Max.  
57  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Units  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
40  
A
@ T = 100°C  
C
230  
DM  
92  
Power Dissipation  
@T = 25°C  
C
W
W/°C  
V
P
D
0.61  
Linear Derating Factor  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
V
GS  
EAS  
73  
110  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
mJ  
EAS (Tested )  
IAR  
EAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
mJ  
-55 to + 175  
T
T
J
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
STG  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.64  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
–––  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
02/07/11  
1234567...13

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AUIRFZ44VZS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF1010NSTRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ44ZSPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =
IRFZ44VZSPBF INFINEON

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 		AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFZ44Z INFINEON

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 		HEXFET? Power MOSFET
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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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