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AUIRG4BC30USTRL

更新时间： 2024-09-10 14:47:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 330K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3

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AUIRG4BC30USTRL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：8.35
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：23 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：150 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：320 ns标称接通时间 (ton)：33 ns
Base Number Matches：1

AUIRG4BC30USTRL 数据手册

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PD - 96335  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRG4BC30U-S  
AUIRG4BC30U-SL  
UltraFast Speed IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
VCES = 600V  
Features  
V
CE(on) typ. = 1.95V  
G
• UltraFast: Optimized for high operating  
frequencies 8-40 kHz in hard switching,  
>200 kHz in resonant mode  
E
@VGE = 15V, IC = 12A  
n-channel  
• Industry standard D2Pak & TO-262 package  
• Lead-Free, RoHS Compliant  
• Automotive Qualified *  
Benefits  
• Typical Applications: SMPS, PFC  
D2Pak  
AUIRG4BC30U-S  
TO-262  
AUIRG4BC30U-SL  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device.  
These are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond  
those indicated in the specifications is not implied.Exposure to absolute-maximum-rated conditions for  
extended periods may affect device reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are  
measured under board mounted and still air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise  
specified  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
23  
IC @ TC = 100°C  
12  
A
ICM  
92  
ILM  
92  
VGE  
± 20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
10  
100  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
42  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
1.2  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Ambient, ( PCB Mounted,steady-state)**  
–––  
40  
* * When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ). For recommended footprint and soldering techniques  
refer to application note #AN-994.  
*
Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
11/01/10  
1234567...13

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与AUIRG4BC30USTRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRG4BC30USTRR INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMP
AUIRG4PC40S-E INFINEON

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AUIRG4PH50S INFINEON

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AUIRG7CH80K6B-M INFINEON

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 		AUTOMOTIVE GRADE
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