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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD100NH02LT4
STD100NH02LT4 PDF预览

STD100NH02LT4

更新时间： 2024-11-20 03:30:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
16页 475K
描述
N-channel 24V - 0.0042ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM II Power MOSFET

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STD100NH02LT4 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
Is Samacsys：N其他特性：LOW THRESHOLD
雪崩能效等级（Eas）：800 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：24 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.0048 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD100NH02LT4 数据手册

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STD100NH02L  
STD100NH02L-1  
N-channel 24V - 0.0042Ω - 60A - DPAK - IPAK  
STripFET™ II Power MOSFET  
General features  
VDSSS  
RDS(on)  
ID  
Type  
STD100NH02L  
24V  
24V  
<0.0048Ω  
<0.0048Ω  
60A(1)  
60A(1)  
3
3
STD100NH02L-1  
2
1
1
1. Value limited by wire bonding  
DPAK  
IPAK  
■ R  
* Qg industry’s benchmark  
DS(on)  
■ Conduction losses reduced  
■ Switching losses reduced  
■ Low threshold device  
Internal schematic diagram  
Description  
This device utilizes the latest advanced design  
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology.  
This is suitable fot the most demanding DC-DC  
converter application where high efficiency is to  
be achieved.  
Applications  
■ Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STD100NH02LT4  
STD100NH02L-1  
D100NH02L  
D100NH02L  
DPAK  
IPAK  
Tape & reel  
Tube  
December 2006  
Rev 11  
1/16  
www.st.com  
16  
1234567...16

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STD100NH02LT4 替代型号

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