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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 17页 | 907K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 600 V, 0.57 Ohm, 8 A, DPAK FDmesh(TM) II Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 0.92 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 222020 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | Transistor |
| Samacsys Package Category： | TO-XXX (Inc. DPAK) | Samacsys Footprint Name： | DPAK (TO-252)_2 |
| Samacsys Released Date： | 2015-07-28 09:15:31 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD10NM60N | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 600 V, 0.53 ohm, 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD10NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V - 0.43 ヘ - 9 A - TO-220 - TO- |
|
| STD10NM65N_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.43 Ω, 9 A MDmesh™ II Power |
|
| STD10P10F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P沟道100 V、0.136 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFE |
|
| STD10P6F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFETâ |
|
| STD10PF06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 10A TO-252 STripFET POWER MOSFET |
|
| STD10PF06-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET |
|
| STD10PF06T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-CHANNEL 60V - 0.18 W - 10A IPAK/DPAK STripF |
|
| STD110 | ETC |
获取价格 |
STD110|Data Sheet |
|
| STD1109-100M-B | YAGEO |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, SMD, 5546, |
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| STD1109-101M-B | YAGEO |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 100uH, 20%, 1 Element, SMD, 5546, |
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