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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 7页 | 304K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 60V - 0.1ohm - 10A DPAK STripFET⑩ POWER MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD10NF10 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LO |
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| STD10NF10-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LO |
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| STD10NF10L | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| STD10NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LO |
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| STD10NF30 | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道300 V、0.28 Ohm典型值、10 A MESH OVERLAY功率MO |
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| STD10NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.53 Ω, 7 A DPAK, TO-220FP, |
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| STD10NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.53 ohm, 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET |
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| STD10NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.57 Ohm, 8 A, DPAK FDmesh(TM) II Power MOSFET |
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| STD10NM65N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V - 0.43 ヘ - 9 A - TO-220 - TO- |
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| STD10NM65N_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.43 Ω, 9 A MDmesh™ II Power |
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