STD10NF10T4

更新时间： 2024-01-29 04:15:46

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅
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描述
N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STD10NF10T4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	0.91	雪崩能效等级（Eas）：	70 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STD10NF10T4 数据手册

STD10NF10

STD10NF10-1

N-channel 100V - 0.115Ω - 13A - DPAK - IPAK

Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET

General features

V_DSSS

R_DS(on)

I_D

Type

STD10NF10

100V

<0.13Ω

13A

STD10NF10-1

■ Exceptional dv/dt capability

DPAK

IPAK

■ Application oriented characterization

Description

This MOSFET series realized with

STMicroelectronics unique STripFET process has

specifically been designed to minimize input

capacitance and gate charge. It is therefore

suitable as primary switch in advanced high-

efficiency, high-frequency isolated DC-DC

converters for Telecom and Computer

Internal schematic diagram

applications. It is also intended for any

applications with low gate drive requirements.

Applications

■ Switching application

Order codes

Part number

Marking

Package

Packaging

STD10NF10T4

STD10NF10-1

D10NF10

DPAK

IPAK

Tape & reel

Tube

August 2006

Rev 3

1/14

www.st.com

12 3 4 5 6 7...14

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