STD10NM65N

更新时间： 2024-02-08 12:17:46

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
17页	504K
描述
N-channel 650 V - 0.43 ヘ - 9 A - TO-220 - TO-220FP- IPAK - DPAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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STD10NM65N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.59
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.48 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STD10NM65N 数据手册

STD10NM65N - STF10NM65N

STP10NM65N - STU10NM65N

N-channel 650 V - 0.43 Ω - 9 A - TO-220 - TO-220FP- IPAK - DPAK

second generation MDmesh™ Power MOSFET

Features

V_DSS

(@Tjmax)

R_DS(on)

max

Type

I_D

STD10NM65N

STF10NM65N

STP10NM65N

STU10NM65N

710 V

< 0.48 Ω

9 A

9 A⁽¹⁾

9 A

IPAK

TO-220

9 A

1. Limited only by maximum temperature allowed

■ 100% avalanche tested

DPAK

TO-220FP

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ Switching applications

Description

This series of devices implements the second

generation of MDmesh™ Technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the Company’s strip layout to

yield one of the world’s lowest on-resistance and

gate charge. It is therefore suitable for the most

demanding high efficiency converters.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

DPAK

Packaging

STD10NM65N

STF10NM65N

STP10NM65N

STU10NM65N

10NM65N

Tape & reel

Tube

TO-220FP

TO-220

IPAK

Tube

February 2008

Rev 2

1/17

www.st.com

12 3 4 5 6 7...17

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STD10NM65N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP10NM65N	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 650 V - 0.43 ヘ - 9 A - TO-220 - TO-
STU10NM65N	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 650 V - 0.43 ヘ - 9 A - TO-220 - TO-

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STD10P6F6	STMICROELECTRONICS	获取价格	P-channel 60 V, 0.15 Î© typ., 10 A STripFETâ
STD10PF06	STMICROELECTRONICS	获取价格	P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 10A TO-252 STripFET POWER MOSFET
STD10PF06-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET
STD10PF06T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	P-CHANNEL 60V - 0.18 W - 10A IPAK/DPAK STripF
STD110	ETC	获取价格	STD110\|Data Sheet
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STD1109-101M-B	YAGEO	获取价格	General Purpose Inductor, 100uH, 20%, 1 Element, SMD, 5546,
STD1109-120M-B	YAGEO	获取价格	General Purpose Inductor, 12uH, 20%, 1 Element, SMD, 5546,

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