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STD10NM65N

更新时间: 2024-11-24 04:01:59
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
17页 504K
描述
N-channel 650 V - 0.43 ヘ - 9 A - TO-220 - TO-220FP- IPAK - DPAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

STD10NM65N 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-252AA包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:8.59
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):300 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):9 A最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:0.48 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252AAJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):36 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STD10NM65N 数据手册

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STD10NM65N - STF10NM65N  
STP10NM65N - STU10NM65N  
N-channel 650 V - 0.43 - 9 A - TO-220 - TO-220FP- IPAK - DPAK  
second generation MDmesh™ Power MOSFET  
Features  
VDSS  
(@Tjmax)  
RDS(on)  
max  
Type  
ID  
3
2
3
1
2
STD10NM65N  
STF10NM65N  
STP10NM65N  
STU10NM65N  
710 V  
710 V  
710 V  
710 V  
< 0.48  
< 0.48 Ω  
< 0.48 Ω  
< 0.48 Ω  
9 A  
9 A(1)  
9 A  
1
IPAK  
TO-220  
9 A  
3
1. Limited only by maximum temperature allowed  
1
3
2
100% avalanche tested  
1
DPAK  
TO-220FP  
Low input capacitance and gate charge  
Low gate input resistance  
Application  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Switching applications  
Description  
This series of devices implements the second  
generation of MDmesh™ Technology. This  
revolutionary Power MOSFET associates a new  
vertical structure to the Company’s strip layout to  
yield one of the world’s lowest on-resistance and  
gate charge. It is therefore suitable for the most  
demanding high efficiency converters.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
DPAK  
Packaging  
STD10NM65N  
STF10NM65N  
STP10NM65N  
STU10NM65N  
10NM65N  
10NM65N  
10NM65N  
10NM65N  
Tape & reel  
Tube  
TO-220FP  
TO-220  
IPAK  
Tube  
Tube  
February 2008  
Rev 2  
1/17  
www.st.com  
17  

STD10NM65N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP10NM65N STMICROELECTRONICS

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N-channel 650 V - 0.43 ヘ - 9 A - TO-220 - TO-
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD10NM65N_08 STMICROELECTRONICS

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STD10P6F6 STMICROELECTRONICS

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P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFETâ„
STD10PF06 STMICROELECTRONICS

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P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 10A TO-252 STripFET POWER MOSFET
STD10PF06-1 STMICROELECTRONICS

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P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET
STD10PF06T4 STMICROELECTRONICS

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P-CHANNEL 60V - 0.18 W - 10A IPAK/DPAK STripF
STD110 ETC

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STD110|Data Sheet
STD1109-100M-B YAGEO

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General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, SMD, 5546,
STD1109-101M-B YAGEO

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General Purpose Inductor, 100uH, 20%, 1 Element, SMD, 5546,
STD1109-120M-B YAGEO

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General Purpose Inductor, 12uH, 20%, 1 Element, SMD, 5546,