捷配首页

Datasheet > STD10NM50N
STD10NM50N PDF预览

STD10NM50N

更新时间： 2025-07-24 12:27:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
18页 1137K
描述
N-channel 500 V, 0.53 Ω, 7 A DPAK, TO-220FP, TO-220 MDmesh™ II Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

STD10NM50N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8雪崩能效等级（Eas）：143 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.63 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

STD10NM50N 数据手册

 浏览型号STD10NM50N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STD10NM50N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STD10NM50N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STD10NM50N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STD10NM50N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STD10NM50N的Datasheet PDF文件第7页 
STD10NM50N  
STF10NM50N, STP10NM50N  
N-channel 500 V, 0.53 Ω, 7 A DPAK, TO-220FP, TO-220  
MDmesh™ II Power MOSFET  
Features  
TAB  
VDSS  
(@Tjmax)  
RDS(on)  
max  
Type  
ID  
3
1
3
2
STD10NM50N  
STF10NM50N  
STP10NM50N  
1
DPAK  
TO-220FP  
550 V  
< 0.63 Ω  
7 A  
TAB  
■ 100% avalanche tested  
3
■ Low input capacitance and gate charge  
■ Low gate input resistance  
2
1
TO-220  
Applications  
■ Switching applications  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
$ꢅꢆꢇ 4!"ꢈ  
These devices are N-channel Power MOSFETs  
developed using the second generation of  
MDmesh™ technology. This revolutionary Power  
MOSFET associates a vertical structure to the  
company’s strip layout to yield one of the world’s  
lowest on-resistance and gate charge. It is  
therefore suitable for the most demanding high  
efficiency converters.  
'ꢅꢁꢈ  
3ꢅꢉꢈ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Packages  
DPAK  
Packaging  
STD10NM50N  
STF10NM50N  
STP10NM50N  
Tape and reel  
Tube  
10NM50N  
TO-220FP  
TO-220  
October 2011  
Doc ID 16929 Rev 3  
1/18  
www.st.com  
18  
1234567...18

中文翻译

下载PDF

STD10NM50N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD35NF06LT4 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 35A DPAK STripFET⑩
STD15NF10T4 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 100V - 0.060ohm- 23A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET
STD6N95K5 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect

与STD10NM50N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD10NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.53 ohm, 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET
STD10NM60ND STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.57 Ohm, 8 A, DPAK FDmesh(TM) II Power MOSFET
STD10NM65N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V - 0.43 ヘ - 9 A - TO-220 - TO-
STD10NM65N_08 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V, 0.43 Ω, 9 A MDmesh™ II Power
STD10P10F6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		P沟道100 V、0.136 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFE
STD10P6F6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFETâ„
STD10PF06 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 10A TO-252 STripFET POWER MOSFET
STD10PF06-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET
STD10PF06T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		P-CHANNEL 60V - 0.18 W - 10A IPAK/DPAK STripF
STD10PF06T4 VBSEMI

获取价格

 		元器件封装:TO-252;

与STD10NM50N相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2025 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证