AI时代的算力竞赛正催生一场存储技术的革命，而韩国巨头LG电子突然宣布入局HBM内存制造的关键赛道——混合键合设备开发。这一动作或将改写目前由欧美企业主导的半导体设备格局，背后隐藏着怎样的战略野心？

据韩媒SEDaily最新披露，LG电子旗下生产技术研究所（PTI）已悄然启动混合键合设备研发项目，计划在2028年实现量产突破。这项被视为16层以上HBM内存堆叠核心工艺的技术，采用无凸块铜-铜键合方式，能在微米级尺度上实现DRAM芯片的直接互联。与传统方法相比，混合键合不仅能将芯片间距压缩50%以上，还可降低20%的发热量，堪称高带宽内存突破物理极限的关键钥匙。

目前全球混合键合设备市场呈现双强争霸格局，荷兰Besi和美国应用材料占据技术制高点。但随着SK海力士、三星电子等韩国存储巨头加速HBM产能扩张，本土供应链安全需求日益迫切。LG电子选择此时切入，正好填补韩国在该领域的空白。值得注意的是，其研发时间表与业界预测的HBM4量产节点高度重合——2028年恰是16层堆叠HBM进入商业化的重要窗口期。

资本市场已用真金白银表达态度。消息曝光后，LG电子股价在首尔交易所应声上涨，反映出市场对其转型战略的认可。虽然公司官方表态仍保持谨慎，称"量产时间尚未最终确定"，但内部人士透露，该项目已获得集团层面的重点资源倾斜。这与其强化AI与B2B业务的战略方向不谋而合，混合键合设备既能服务存储芯片制造商，又可对接AI处理器企业的定制化需求。

技术层面看，混合键合的突破将直接决定HBM内存的演进路径。当前主流HBM3产品采用8层堆叠，而要实现16层甚至24层的三维集成，必须克服信号延迟、散热效率等物理瓶颈。LG电子研发的铜-铜直接键合方案，通过消除传统焊料凸点，可将互连密度提升4倍，同时降低界面电阻。这种技术若成熟，有望使单颗HBM芯片的带宽突破1TB/s大关。

行业观察家指出，LG的入局可能引发连锁反应。韩国两大存储巨头每年投入数十亿美元扩产HBM，若本土设备商能提供可靠方案，将大幅降低供应链风险。不过挑战同样明显，混合键合需要纳米级对准精度和超高洁净度工艺，即便对拥有显示面板精密制造经验的LG而言也是全新课题。其能否在四年内攻克量产难关，仍需时间验证。

这场围绕HBM制造制高点的角逐，本质上是AI基础设施主导权的争夺。LG电子从消费电子向B2B技术供应商的转型，折射出全球产业链价值重构的大趋势。当混合键合设备成为打开万亿级AI市场的钥匙，谁掌握核心工艺装备，谁就将在下一代计算革命中占据先机。