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STD10NF10

更新时间： 2024-01-26 18:12:41
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅PC
页数 文件大小 规格书
10页 465K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STD10NF10 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.22
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：180106Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name：DPAK (TO-252)_2Samacsys Released Date：2015-07-12 18:13:02
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：70 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.13 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD10NF10 数据手册

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STD10NF10  
N-CHANNEL 100V - 0.115 Ω - 13A IPAK/DPAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STD10NF10  
100 V  
<0.13 Ω  
13 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.115Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
1
■
■
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4")  
1
IPAK  
DPAK  
TO-252  
(Suffix “T4”)  
TO-251  
(Suffix “-1”)  
DESCRIPTION  
This MOSFET series realized with STMicroelectronics  
unique STripFET process has specifically been designed  
to minimize input capacitance and gate charge. It is  
therefore suitable as primary switch in advanced high-  
efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for  
Telecom and Computer applications. It is also intended  
for any applications with low gate drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
100  
± 20  
13  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
9
A
C
I (•)  
DM  
Drain Current (pulsed)  
52  
A
P
Total Dissipation at T = 25°C  
50  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.33  
9
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
dv/dt  
E
70  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) I ≤13A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
SD  
DD  
(BR)DSS j JMAX  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 15A, V = 50V  
j
D
DD  
June 2002  
1/10  
.
1234567...10

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STD10NF10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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