生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD10N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.440 Ohm典型值、8 A MDmesh DM2功率MOSFET, | |
STD10N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STD10N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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Power Field-Effect Transistor | |
STD10NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.1ohm - 10A DPAK STripFET⑩ P | |
STD10NF10 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LO | |
STD10NF10-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LO | |
STD10NF10L | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):100V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
STD10NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LO | |
STD10NF30 | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道300 V、0.28 Ohm典型值、10 A MESH OVERLAY功率MO | |
STD10NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.53 Ω, 7 A DPAK, TO-220FP, |