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STD10N10L1 PDF预览

STD10N10L1

更新时间: 2024-01-02 08:58:19
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 600K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251

STD10N10L1 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
Base Number Matches:1

STD10N10L1 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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