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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD10N10L1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251 |
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| STD10N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.440 Ohm典型值、8 A MDmesh DM2功率MOSFET， |
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| STD10N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STD10N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| STD10NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.1ohm - 10A DPAK STripFET⑩ P |
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| STD10NF10 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LO |
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| STD10NF10-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LO |
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| STD10NF10L | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| STD10NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LO |
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| STD10NF30 | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道300 V、0.28 Ohm典型值、10 A MESH OVERLAY功率MO |
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