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STD1030PL

更新时间： 2024-01-30 08:35:33

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三合微科 - SAMHOP		/
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8页	875K
描述
P-Channel E nhancement Mode MOSFET

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STD1030PL 数据手册

S TU/D1030P L

S amHop Microelectronics C orp.

P reliminary May.28 2004

P -C hannel E nhancement Mode MOS FE T

FE ATUR E S

PR ODUCT S UMMAR Y

R DS (ON) ( m

Ω

) Max

VDS S

S uper high dense cell design for low R DS (ON).

R ugged and reliable.

55 @ VG S = -10V

85 @ VG S = -4.5V

-18A

-30V

TO-252 and TO-251 P ackage.

S DU S E R IE S

TO-252AA(D-P AK)

S DD S E R IE S

TO-251(l-P AK)

ABS OLUTE MAXIMUM R ATING S (T

=25 C unless otherwise noted)

P arameter

Limit

Unit

S ymbol

Drain-S ource Voltage

G S

G ate-S ource Voltage

Drain C urrent-C ontinuous ^a@ T

-P ulsed ^b

=125 C

Drain-S ource Diode Forward C urrent ^a

Maximum P ower Dissipation ^a

Operating J unction and S torage

Temperature R ange

, TS TG

-55 to 175

THE R MAL C HAR AC TE R IS TIC S

Thermal R esistance, J unction-to-C ase

C/W

J C

J A

Thermal R esistance, J unction-to-Ambient

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STD10LN80K5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道800 V、0.55 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，DP
STD10N10-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-251
STD10N10L	ETC	获取价格	TRANSISTOR SMD MOSFET TO 252 D PAK
STD10N10L1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-251
STD10N60DM2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.440 Ohm典型值、8 A MDmesh DM2功率MOSFET，
STD10N60M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET，
STD10N60M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
STD10NF06L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 60V - 0.1ohm - 10A DPAK STripFET⑩ P
STD10NF10	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LO