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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB85NF55L
STB85NF55L PDF预览

STB85NF55L

更新时间： 2024-09-12 22:29:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 373K
描述
N-CHANNEL 55V - 0.0060 ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STB85NF55L 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.13Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：980 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB85NF55L 数据手册

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STB85NF55L  
STP85NF55L  
2
N-CHANNEL 55V - 0.0060 Ω - 80A D PAK/TO-220  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STP85NF55L  
STB85NF55L  
55 V  
55 V  
<0.008 Ω  
<0.008 Ω  
80 A  
80 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0060 Ω  
DS  
LOW THRESHOLD DRIVE  
LOGIC LEVEL DEVICE  
3
1
3
2
2
D PAK  
TO-263  
1
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
(Suffix “T4”)  
TO-220  
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE & REEL  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
Ordering Information  
SALES TYPE  
STP85NF55L  
STB85NF55L  
MARKING  
P85NF55L  
B85NF55L  
B85NF55L  
PACKAGE  
PACKAGING  
TUBE  
TUBE  
TAPE & REEL  
TO-220  
2
D PAK  
2
STB85NF55LT4  
D PAK  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V  
GS  
= 0)  
55  
55  
V
Drain-gate Voltage (R  
Gate- source Voltage  
= 20 kΩ)  
GS  
V
DGR  
V
GS  
± 15  
80  
V
I (•)  
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
80  
A
C
I
(••)  
Drain Current (pulsed)  
320  
300  
2.0  
10  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
dv/dt  
E
980  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•) Current Limited by Package.  
(••) Pulse width limited by safe operating area.  
1) I  
SD  
≤80A, di/dt ≤300A/µs, V  
≤ V  
DD  
, T ≤ T  
(BR)DSS JMAX  
= 30V  
DD  
j
o
(2) Starting T = 25 C, I = 40A, V  
j
D
September 2002  
1/10  
1234567...10

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STB85NF55L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SPB80N06S-08 INFINEON

功能相似

 SIPMOS㈢ Power-Transistor
STB85NF55 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 55V - 0.0062 ohm - 80A D2PAK/TO-220

与STB85NF55L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB85NF55L_09 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 55 V, 0.0060 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK
STB85NF55LT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 55 V, 0.0060 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK
STB85NF55T4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB85NS04Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		60A, 33V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, I2PAK, 3 PIN
STB85NS04Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		80A, 33V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, I2PAK-3
STB85NS04ZT4 STMICROELECTRONICS

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 		80A, 33V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
STB86600 AXIOMTEK

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