Datasheet > SIA914ADJ-T1-GE3

SIA914ADJ-T1-GE3

更新时间： 2024-11-02 20:02:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	290K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-70, POWERPAK-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIA914ADJ-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.43
外壳连接：	DRAIN	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	0.043 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-XDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIA914ADJ-T1-GE3 数据手册

SiA914ADJ

Vishay Siliconix

www.vishay.com

Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• TrenchFET^®Power MOSFET

V_DS(V)

R_DS(on)() Max.

0.043 at V_GS= 4.5 V

0.045 at V_GS= 3.7 V

0.050 at V_GS= 2.5 V

0.063 at V_GS= 1.8 V

I_D(A)^a

4.5

Q_g(Typ.)

• Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-70 Package

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

3.5 nC

• 100 % R_gTested

• Material categorization: For definitions of

compliance please see www.vishay.com/doc?99912

PowerPAK SC-70-6 Dual

APPLICATIONS

S₁

• Portable Devices such as Smart Phones, Tablet PCs and

Mobile Computing

G₁

D₁

- Load Switch

D₂

- DC/DC Converter

D₁

D₂

- Power Management

G₂

2.05 mm

S₂

Ordering Information: SiA914ADJ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

Marking Code

C J X

Part # code

X X X

Lot Traceability

and Date code

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 70 °C

4.5^a

4.5^{a, b, c}

4.3^{b, c}

4.5^a

1.6^{b, c}

7.8

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Pulsed Drain Current (t = 100 μs)

I_DM

I_S

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

Maximum Power Dissipation

P_D

1.9^{b, c}

1.2^{b, c}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

T_J, T_stg

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

t  5 s

Steady State

R_thJA

R_thJC

°C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

12.5

Notes

a. Package limited.

b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See solder profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SC-70 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed

and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under steady state conditions is 110 °C/W.

S13-1270-Rev. A, 27-May-13

Document Number: 62872

For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与SIA914ADJ-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIA914DJ-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.053ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
SIA914DJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
SIA915DJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	SiA915DJ Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIA915DJ-T4-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SIA917DJ	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA917DJ-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel and P-Channel
SiA918EDJ	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIA920DJ	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SIA921EDJ	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA921EDJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC70-6

与SIA914ADJ-T1-GE3相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

5
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIA914ADJ-T1-GE3

SIA914ADJ-T1-GE3 技术参数

SIA914ADJ-T1-GE3 数据手册

与SIA914ADJ-T1-GE3相关器件

与SIA914ADJ-T1-GE3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIA914ADJ-T1-GE3

SIA914ADJ-T1-GE3 技术参数

SIA914ADJ-T1-GE3 数据手册

与SIA914ADJ-T1-GE3相关器件

与SIA914ADJ-T1-GE3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？