生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SC-70 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-X6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 3.3 A | 最大漏源导通电阻: | 0.11 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | S-PDSO-X6 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SiA918EDJ | VISHAY |
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Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SIA920DJ | VISHAY |
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Dual N-Channel 8 V (D-S) MOSFET | |
SIA921EDJ | VISHAY |
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Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SIA921EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
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MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC70-6 | |
SIA921EDJ-T4-GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
SiA923AEDJ | VISHAY |
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Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SIA923AEDJ-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
SIA923EDJ | VISHAY |
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Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SIA923EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
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VISSIA923EDJ-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL 20 V | |
SiA928DJ | VISHAY |
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Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |