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SIA914DJ-T1-E3

更新时间： 2024-11-02 20:39:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 147K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.053ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SC-70, POWERPAK, 6 PIN

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SIA914DJ-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-C6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.053 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-C6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIA914DJ-T1-E3 数据手册

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New Product  
SiA914DJ  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
4.5  
TrenchFET® Power MOSFET  
New Thermally Enhanced PowerPAK®  
SC-70 Package  
0.053 at VGS = 4.5 V  
0.063 at VGS = 2.5 V  
0.077 at VGS = 1.8 V  
RoHS  
COMPLIANT  
20  
4.5  
4.1 nC  
- Small Footprint Area  
- Low On-Resistance  
4.5  
PowerPAK SC-70-6 Dual  
APPLICATIONS  
•
Load Switch for Portable Applications  
1
S1  
D
1
D
2
2
G1  
3
D1  
D2  
Marking Code  
D1  
6
D2  
C B X  
G2  
Part # code  
G
1
G
2
5
2.05 mm  
X X X  
2.05 mm  
S2  
Lot Traceability  
and Date code  
4
S
1
S
2
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: SiA914DJ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
20  
Unit  
V
8
4.5a  
T
C = 25 °C  
4.5a  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
4.5a, b, c  
3.8b, c  
20  
4.5a  
1.6b, c  
6.5  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
T
C = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
T
C = 70 °C  
5
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
1.9b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.2b, c  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
52  
Maximum  
Unit  
t ≤ 5 s  
Steady State  
65  
16  
°C/W  
12.5  
Notes:  
a. Package limited  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-70 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed  
and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.  
Document Number: 74956  
S-80436-Rev. B, 03-Mar-08  
www.vishay.com  
1
1234567

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与SIA914DJ-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SIA914DJ-T1-GE3 VISHAY

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 		Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
SIA915DJ-T1-GE3 VISHAY

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 		SiA915DJ Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIA915DJ-T4-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SIA917DJ VISHAY

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 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA917DJ-T1-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel and P-Channel
SiA918EDJ VISHAY

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 		Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIA920DJ VISHAY

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 		Dual N-Channel 8 V (D-S) MOSFET
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获取价格

 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA921EDJ-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC70-6
SIA921EDJ-T4-GE3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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