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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-XDSO-N6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 190 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.95 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.47 A | 最大漏源导通电阻： | 3.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-XDSO-N6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 7 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIA975DJ | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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| SIA975DJ-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
|
| SiAA00DJ | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET |
|
| SiAA02DJ | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
|
| SiAA40DJ | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
|
| SIB-102-02-FM-S | SAMTEC |
获取价格 |
Card Edge Connector, 2 Contact(s), 1 Row(s), Female, Right Angle, Surface Mount Terminal |
|
| SIB-102-02-F-S | SAMTEC |
获取价格 |
Card Edge Connector, 2 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Surface Mount |
|
| SIB-102-02-F-S-LC | SAMTEC |
获取价格 |
.100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM |
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| SIB-103-02-FM-S | SAMTEC |
获取价格 |
Card Edge Connector, 3 Contact(s), 1 Row(s), Female, Right Angle, Surface Mount Terminal, |
|
| SIB-103-02-FM-S-LC | SAMTEC |
获取价格 |
Card Edge Connector, |
|
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