Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SIA975DJ-T1-GE3

SIA975DJ-T1-GE3

更新时间： 2024-09-27 09:25:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	231K
描述
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIA975DJ-T1-GE3 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.57	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	0.041 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	7.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIA975DJ-T1-GE3 数据手册

New Product

SiA975DJ

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

Definition

- 4.5^a

- 3.5

TrenchFET^®Power MOSFET

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-70 Package

0.041 at V_GS= - 4.5 V

0.060 at V_GS= - 2.5 V

0.110 at V_GS= - 1.8 V

•

- 12

10.5 nC

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

100 % R_gTested

•

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

•

Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable

Devices and Game Consoles

PowerPAK SC-70-6 Dual

S₁

Marking Code

G₁

D₁

D J X

X X X

D₂

Part # code

D₁

D₂

Lot Traceability

and Date Code

G₂

2.05 mm

S₂

Ordering Information:

SiA975DJ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DS

Limit

- 12

Unit

V_GS

- 4.5^a

_C= 25 °C

- 4.5^a

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

- 4.5^{a,b, c}

- 4.4^{b, c}

- 15

- 4.5^a

- 1.6^{b, c}

7.8

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

T_C= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

T_A= 25 °C

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

P_D

Maximum Power Dissipation

1.9^{b, c}

1.2^{b, c}

T_A= 70 °C

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

T_J, T_stg

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

°C/W

R_thJC

Steady State

12.5

Notes:

a. Package limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-70 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.

Document Number: 65710

S10-0213-Rev. A, 25-Jan-10

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与SIA975DJ-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SiAA00DJ	VISHAY	获取价格	N-Channel 25 V (D-S) MOSFET
SiAA02DJ	VISHAY	获取价格	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SiAA40DJ	VISHAY	获取价格	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SIB-102-02-FM-S	SAMTEC	获取价格	Card Edge Connector, 2 Contact(s), 1 Row(s), Female, Right Angle, Surface Mount Terminal
SIB-102-02-F-S	SAMTEC	获取价格	Card Edge Connector, 2 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Surface Mount
SIB-102-02-F-S-LC	SAMTEC	获取价格	.100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM
SIB-103-02-FM-S	SAMTEC	获取价格	Card Edge Connector, 3 Contact(s), 1 Row(s), Female, Right Angle, Surface Mount Terminal,
SIB-103-02-FM-S-LC	SAMTEC	获取价格	Card Edge Connector,
SIB-103-02-FM-S-TI	SAMTEC	获取价格	Card Edge Connector,
SIB-103-02-F-S-TI	SAMTEC	获取价格	Card Edge Connector,

与SIA975DJ-T1-GE3相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

19
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

14
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

17
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

26

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIA975DJ-T1-GE3

SIA975DJ-T1-GE3 技术参数

SIA975DJ-T1-GE3 数据手册

与SIA975DJ-T1-GE3相关器件

与SIA975DJ-T1-GE3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIA975DJ-T1-GE3

SIA975DJ-T1-GE3 技术参数

SIA975DJ-T1-GE3 数据手册

与SIA975DJ-T1-GE3相关器件

与SIA975DJ-T1-GE3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？