是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-XDSO-N6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 1.73 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 4.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.054 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | S-XDSO-N6 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIA923EDJ | VISHAY |
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Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SIA923EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
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VISSIA923EDJ-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL 20 V | |
SiA928DJ | VISHAY |
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Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SIA929DJ | VISHAY |
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Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SIA929DJ-T1-GE3 | VISHAY |
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Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SiA931DJ | VISHAY |
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Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SiA938DJT | VISHAY |
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Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SIA950DJ-T1-GE3 | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 190V 0.47A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | |
SIA975DJ | VISHAY |
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Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | |
SIA975DJ-T1-GE3 | VISHAY |
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Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |